创新的有机半导体技术
兼容现有机器视觉系统
宽光谱多场景成像
高分辨率成像
新一代可见光-近红外增强图像探测器Pi0130采用光达创新自主研发的PiNIR™专利传感器技术，具备1280X1024高分辨率探测能力，在可见- 近红外波段可呈现更丰富的细节层次与优异的信噪比表现。该传感器能够精准捕捉细微特征变化，专业服务于半导体检测、高精度医学检测及科学研究等对分辨率要求极高的前沿领域。
通过颠覆性的有机半导体设计工艺，以高性价比实现了宽光谱、高灵敏的近红外感知能力，使其在940nm, 1064nm, 1135nm等近红外波段下量子效率提升200%。
采用1280×1024高分辨率设计，搭载极低暗电流密度与全局快门架构，显著提升成像质量与动态捕捉能力。
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型号 |
Pi0130 | |
| 阵列格式 | 1280(H)x1024(V) | |
| 像元尺寸 | 7.5 μm | |
| 光谱响应 | 0.3 μm-1.3 μm | |
| 最大帧频 | 120Hz | |
| 封装方式 | LCC84 | |
| 量子效率 | 60 | |
| 有效像素比 | > 99.5% | |
| 功耗 | 500mW@ 60Hz | |
| 读出模式 | CDS, ITR, IWR, NDRO, IMRO | |
| 比探测率 | >1011 Jones | |
| 快门方式 | 全局快门 | |
| 非均匀性 | <4% | |
产品尺寸图（单位：毫米）
Pi0130芯片评估套件现已开放预定，提供包含完整软硬件的开发板，为您简化并加速评估流程。
这套即用型解决方案让您能快速在实际应用场景中测试芯片的成像性能，无需额外配置即可开始评估。
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